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HT63N1200AKZ
碳化硅功率MOSFET，N沟道增强模式
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- 描述
- 常温下耐压高达1200V负载电流可达63A的碳化硅MOSFET
- 品牌名称
- HTCSEMI(海天芯)
- 商品型号
- HT63N1200AKZ
- 商品编号
- C47326413
- 商品封装
- TO-247-4L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.543333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 63A | |
| 耗散功率(Pd) | 341W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 118nC | |
| 输入电容(Ciss) | 3.357nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8pF | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 129pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 43mΩ |
商品概述
基于第三代碳化硅MOSFET技术的N沟道增强型功率器件，采用优化封装设计并提供独立的驱动源引脚，在漏极与源极之间提供8mm的爬电距离。该器件具备高阻断电压与低导通电阻的组合，以及高速开关性能和低电容特性。其快速本征二极管具有低反向恢复电荷。产品无卤素，符合RoHS标准。
商品特性
- 第三代碳化硅MOSFET技术
- 采用优化封装并提供独立的驱动源引脚
- 漏极与源极间具有8mm爬电距离
- 高阻断电压与低导通电阻
- 高速开关性能且电容低
- 快速本征二极管具有低反向恢复电荷
- 无卤素且符合RoHS标准
应用领域
- 电机控制
- 电动汽车电池充电器
- 高压DC/DC转换器