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ISO5452QDWRQ1实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

ISO5452QDWRQ1

ISO5452QDWRQ1

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描述
ISO5452-Q1 具有分离输出和有源保护功能的汽车类 5.7kVrms、2.5A/5A 单通道隔离式栅极驱动器
品牌名称
TI(德州仪器)
商品型号
ISO5452QDWRQ1
商品编号
C485991
商品封装
SOIC-16-300mil​
包装方式
编带
商品毛重
0.501克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录隔离式栅极驱动器
隔离电压(Vrms)1420
负载类型IGBT;MOSFET
输入侧工作电压2.25V~5.5V
拉电流(IOH)2.7A
灌电流(IOL)5.5A
工作温度-40℃~+125℃@(Ta)
属性参数值
上升时间(tr)35ns
下降时间(tf)37ns
传播延迟 tpLH110ns
传播延迟 tpHL110ns
CMTI(kV/us)50kV/us
驱动侧工作电压15V~30V

商品概述

ISO5452-Q1是一款5.7-kV_PMS增强型隔离栅极驱动器,适用于IGBT和MOSFET,具有分离输出OUTH和OUTL,可提供2.5-A的源电流和5-A的灌电流。输入侧由单一2.25-V至5.5-V电源供电。输出侧的电源范围为最低15 V至最高30 V。两个互补的CMOS输入控制栅极驱动器的输出状态。76 ns的短传播时间确保对输出级进行精确控制。

内部去饱和(DESAT)故障检测可识别IGBT何时处于过流状态。检测到DESAT时,静音逻辑会立即阻断隔离器的输出,并启动软关断程序,该程序会禁用OUTH,并在2 μs的时间内将OUTL拉低。当OUTL相对于最负电源电位V_EE2达到2 V时,栅极驱动器输出被强制拉至V_EE2电位,使IGBT立即关断。

去饱和激活时,故障信号会穿过隔离屏障,将输入侧的FLT输出拉低并阻断隔离器输入。在软关断期间,静音逻辑被激活。FLT输出状态被锁存,只有在RDY变高后,通过RST输入的低电平有效脉冲才能复位。

在双极性输出电源的正常操作中IGBT关断时,输出会被硬钳位至V_EE2。如果输出电源为单极性,则可使用有源米勒钳位,使米勒电流通过低阻抗路径泄放,防止IGBT在高压瞬态条件下动态导通。

栅极驱动器的就绪状态由两个欠压锁定电路控制,分别监测输入侧和输出侧的电源。如果任一侧电源不足,RDY输出将变低,否则该输出为高电平。

ISO5452-Q1采用16引脚SOIC封装。器件的工作温度范围为-40℃至+125℃环境温度。

商品特性

  • 符合汽车应用要求
  • 通过AEC-Q100认证,结果如下:
    • 器件温度等级1:-40℃至+125℃环境工作温度范围
    • 器件HBM分类等级3A
    • 器件CDM分类等级C
  • 在V_CM = 1500 V时,最小共模瞬态抗扰度(CMTI)为50-kV/μs,典型值为100-kV/μs
  • 分离输出可提供2.5-A峰值源电流和5-A峰值灌电流
  • 短传播延迟:典型值76 ns,最大值110 ns
  • 2-A有源米勒钳位
  • 输出短路钳位
  • 短路故障时软关断(STO)
  • 检测到去饱和时,FLT发出报警信号,可通过RST输入复位
  • 带就绪(RDY)引脚指示的输出欠压锁定(UVLO)
  • 低电源或输入浮空时,输出有源下拉和默认低电平输出
  • 2.25-V至5.5-V输入电源电压
  • 15-V至30-V输出驱动器电源电压
  • CMOS兼容输入
  • 可抑制短于20 ns的输入脉冲和噪声瞬变
  • 隔离浪涌耐受电压10000-V_PK
  • 安全相关认证:
    • 符合DIN V VDE V 0884-1(VDE V 0884-10):2006-12标准的8000-V_PK V_IOTM和1420-V_PK V_IORM增强型隔离
    • 符合UL 1577标准的1分钟5700-VRMS隔离
    • CSA组件验收通知5A、IEC 60950–1和IEC 60601–1终端设备标准
    • 符合EN 61010-1和EN 60950-1的TUV认证
    • GB4943.1-2011 CQC认证
    • 所有认证齐全

应用领域

  • 混合动力汽车(HEV)和电动汽车(EV)功率模块
  • 工业电机控制驱动器
  • 工业电源
  • 太阳能逆变器
  • 感应加热