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DOZ50N02
N沟道MOSFET
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- 描述
- N管/20V/50A/6.5mΩ/(典型4.8mΩ）
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DOZ50N02
- 商品编号
- C47018558
- 商品封装
- DFN3x3-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.091357克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 34W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 23nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 265pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的沟槽技术,以最小化导通电阻,提供卓越的开关性能,并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。
商品特性
- VDS = 20 V, ID = 50 A, RDS(ON) < 6.5 m Ω(在VGS = 4.5 V时,典型值为4.8 m Ω)
- 改善的dv/dt能力
- 快速开关
- 100%保证EAS
- 有环保器件可供选择。