温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
DO2308S
N沟道MOSFET
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- N管/60V/2.2A/180mΩ/(典型140mΩ）
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DO2308S
- 商品编号
- C47018572
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.035615克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 180mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 3nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻(RDS(on))。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压(VDS) = 60 V,漏极电流(ID) = 2.2 A,当栅源电压(VGS) = 10 V时,导通电阻(RDS(ON)) < 180 mΩ(典型值:140 mΩ)
- 低栅极电荷。
- 提供环保型器件。
- 采用先进的高单元密度沟槽技术,实现超低导通电阻(RDS(ON))
- 封装散热性能出色。
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 便携式/台式PC的电源管理
- DC/DC转换