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DOD65P04
P沟道 耐压:40V 电流:65A
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- 描述
- P管/-40V/-65A/11mΩ/(典型9mΩ）
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DOD65P04
- 商品编号
- C47018579
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.445418克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 65A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 79W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.403nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 169pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 229pF |
商品概述
这款P沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计,在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(on)。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压VDS = -40 V,漏极电流ID = -65 A,当栅源电压VGS = -10 V时,导通电阻RDS(ON) < 11 mΩ(典型值:9 mΩ)
- 低栅极电荷
- 提供环保器件
- 采用先进的高单元密度沟槽技术,实现超低导通电阻RDS(ON)
- 采用散热性能良好的出色封装
应用领域
- 负载开关
- PWM应用
- 电源管理
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