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DO2021AA
P沟道MOSFET
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- 描述
- P管/-20V/-7A/20mΩ/(典型15mΩ）
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DO2021AA
- 商品编号
- C47018577
- 商品封装
- SOT-23-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.041063克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 15.3nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 231pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 242pF |
商品概述
这款P沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(on)。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压VDS = -20 V,漏极电流ID = -7 A,在栅源电压VGS = -4.5 V时,导通电阻RDS(ON) < 20 mΩ(典型值:15 mΩ)
- 低栅极电荷。
- 有环保型器件可供选择。
- 采用先进的高单元密度沟槽技术,实现极低的导通电阻RDS(ON)。
- 封装散热性能良好。