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DOZ30N10

N沟道MOSFET

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描述
SGT工艺/N管/100V/30A/16.5mΩ/(典型15mΩ)
商品型号
DOZ30N10
商品编号
C47018566
商品封装
DFN3x3-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.098044克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)30A
导通电阻(RDS(on))16.5mΩ@10V
耗散功率(Pd)65W
阈值电压(Vgs(th))2.5V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)13nC@10V
输入电容(Ciss)918pF@25V
反向传输电容(Crss)29pF@25V
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)517pF

数据手册PDF

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(5000个/圆盘,最小起订量 5 个)
起订量:5 个5000个/圆盘

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