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DO2309A
采用先进沟槽技术的P沟道MOSFET
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- 描述
- P管/-60V/-2A/200mΩ/(典型180mΩ）
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DO2309A
- 商品编号
- C47018570
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.036213克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 220mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.56W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 500pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 18pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 30pF |
商品概述
这款P沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(on)。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压VDS = -60 V,漏极电流ID = -2 A,当栅源电压VGS = -10 V时,导通电阻RDS(ON) < 200 mΩ(典型值:180 mΩ)
- 低栅极电荷
- 提供环保型器件
- 采用先进的高单元密度沟槽技术,实现极低的导通电阻RDS(ON)
- 封装散热性能良好
- 湿度敏感度等级为3级(MSL3)
应用领域
- PWM应用-负载开关-便携式/台式PC的电源管理-DC/DC转换