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DO2305A-C
P沟道 耐压:15V 电流:5.5A
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- 描述
- P管/-15V/-5.5A/26mΩ/(典型20mΩ）
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DO2305A-C
- 商品编号
- C47018567
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.035615克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 15V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 26mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.85W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 8.2nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 760pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 150pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 160pF |
商品概述
这款P沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻(RDS(on))。它可用于各种应用场景。
商品特性
- 漏源电压(VDS) = -15 V,漏极电流(ID) = -5.5 A,栅源电压(VGS) = -10 V时,导通电阻(RDS(ON)) < 26 mΩ(典型值:20 mΩ)
- 低栅极电荷。
- 提供环保器件。
- 采用先进的高单元密度沟槽技术,实现超低导通电阻(RDS(ON))。
- 封装散热性能良好。