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DO4085A
P沟道MOSFET
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- 描述
- P管/-40V/-5A/90mΩ/(典型70mΩ）
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DO4085A
- 商品编号
- C47018569
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.036711克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 90mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 570pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 50pF |
商品概述
这款P沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的RDS(ON)。 它可用于各种应用。
商品特性
- VDS = -40 V,ID = -5 A,VGS = -10 V 时 RDS(ON) < 90 m Ω(典型值:70 m Ω)
- 低栅极电荷。
- 提供环保器件。
- 采用先进的高单元密度沟槽技术,实现超低RDS(ON)。
- 出色的封装,散热性能良好。