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DO2305D
P沟道MOSFET
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- 描述
- P管/-20V/-3.8A/45mΩ/(典型35mΩ）
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DO2305D
- 商品编号
- C47018568
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.037309克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.56W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 800mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 744pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 29pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 79pF |
商品概述
这款P沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷条件下实现出色的导通电阻(RDS(on)),适用于多种应用场景。
商品特性
- VDS = -20 V,ID = -3.8 A,当VGS = -4.5 V时,RDS(ON) < 45 m Ω(典型值:35 m Ω)
- 低栅极电荷。
- 提供环保型器件。
- 先进的高单元密度沟槽技术,实现超低导通电阻(RDS(ON))。
- 封装散热性能良好。