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DOZ50P03
采用先进沟槽技术、具有低栅极电荷的P沟道MOSFET
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- 描述
- P管/-30V/-50A/7.5mΩ/(典型6mΩ）
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DOZ50P03
- 商品编号
- C47018561
- 商品封装
- DFN3x3-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.095908克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 55W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 84nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.15nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 342pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
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