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DOZ20DN06
双N沟道MOSFET
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- 描述
- N+N管/60V/20A/30mΩ/(典型25mΩ）
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DOZ20DN06
- 商品编号
- C47018563
- 商品封装
- DFN3x3-8D
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.09487克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 17W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 26nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 983pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 63pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款双N沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻(RDS(on))。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压(VDS) = 60 V,漏极电流(ID) = 20 A,当栅源电压(VGS) = 10 V时,导通电阻(RDS(ON)) < 30 mΩ(典型值:25 mΩ)
- 低栅极电荷。
- 提供环保型器件。
- 先进的高单元密度沟槽技术,实现超低导通电阻(RDS(ON))。
- 出色的封装,散热性能良好。
- 湿度敏感度等级(MSL)为3级