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DOZ4604A
采用先进沟槽技术、低栅极电荷的N沟道+P沟道MOSFET
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- 描述
- N+P管/20V/20A/20mΩ/(典型13mΩ）
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DOZ4604A
- 商品编号
- C47018562
- 商品封装
- DFN3x3-8D
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.101138克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 20.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 9.45nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 788.5pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 108.1pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 138.6pF |
商品概述
这款N+P沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻(RDS(on))。它可用于各种应用场景。
商品特性
- N沟道:VDS = 20 V,ID = 20 A,当VGS = 4.5 V时,RDS(ON) < 20 mΩ
- P沟道:VDS = -20 V,ID = -18 A,当VGS = -4.5 V时,RDS(ON) < 35 mΩ
- 低栅极电荷
- 提供环保型器件
- 采用先进的高单元密度沟槽技术,实现超低导通电阻(RDS(ON))
- 采用散热性能良好的出色封装