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BRCS020N06SRA

N沟道 耐压:60V 电流:225A

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描述
类型: 1个N沟道,漏源电压(Vdss): 60V,连续漏极电流(Id): 225A 导通电阻(RDS(on)): 3.5mΩ@4.5V
商品型号
BRCS020N06SRA
商品编号
C46962475
商品封装
TO-220​
包装方式
管装
商品毛重
3.378571克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)225A
导通电阻(RDS(on))2.5mΩ@4.5V;1.9mΩ@10V
耗散功率(Pd)125W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1.6V
栅极电荷量(Qg)60nC@10V
输入电容(Ciss)6.7nF
反向传输电容(Crss)70pF
类型N沟道
输出电容(Coss)1.4nF

商品概述

N沟道场效应管,采用TO-220塑封封装。 N沟道MOSFET,采用TO-220塑封封装。

商品特性

  • VDS = 60 V,ID = 225 A
  • 10 V下的RDS(导通) ≤ 2.2 mΩ(典型值1.9 mΩ)
  • 4.5 V下的RDS(导通) ≤ 3.5 mΩ(典型值2.5 mΩ)
  • 无卤产品。

应用领域

-该器件适用于高效开关模式电源、有源功率因数校正以及基于半桥拓扑结构的电子镇流器。-这些器件非常适合高效开关模式电源、有源功率因数校正以及基于半桥拓扑结构的电子镇流器。

数据手册PDF