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CSD18501Q5A
1个N沟道 耐压:40V 电流:22A
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- 描述
- CSD18501Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、3.2mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- CSD18501Q5A
- 商品编号
- C471047
- 商品封装
- VSONP-8(4.9x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.123克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.84nF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款40 V、2.5 mΩ、SON 5 × 6 mm的NexFET功率MOSFET专为最大限度降低电源转换应用中的损耗而设计。
商品特性
- 超低Qg和Qgd
- 低热阻
- 雪崩额定
- 逻辑电平
- 无铅端子电镀
- 符合RoHS标准
- 无卤
- SON 5 mm × 6 mm塑料封装
应用领域
- DC-DC转换
- 次级侧同步整流器
- 电池电机控制