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IRF610STRLPBF

1个N沟道耐压:200V 电流:3.3A

品牌名称: VISHAY(威世)
商品型号: IRF610STRLPBF
商品编号: C467555
商品封装: D2PAK
包装方式: 编带
商品毛重: 1.66克(g)

商品参数

商品概述

第三代功率MOSFET为设计人员提供了快速开关、坚固的器件设计、低导通电阻和高性价比的最佳组合。 D²PAK（TO - 263）是一种表面贴装功率封装，能够容纳高达HEX - 4尺寸的芯片。在现有的任何表面贴装封装中，它具备最高的功率处理能力和尽可能低的导通电阻。由于其内部连接电阻低，D²PAK（TO - 263）适用于大电流应用，在典型的表面贴装应用中可耗散高达2.0 W的功率。

商品特性

~~- 表面贴装-提供卷带包装-动态dv/dt额定值-重复雪崩额定值-快速开关-易于并联-驱动要求简单

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	200V
	连续漏极电流(Id)	2.1A
	导通电阻(RDS(on))	1.5Ω@10V,2A
	耗散功率(Pd)	36W

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	2V
	栅极电荷量(Qg)	8.2nC@10V
	输入电容(Ciss)	140pF
	反向传输电容(Crss)	15pF@25V
	工作温度	-55℃~+150℃