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SI1902CDL-T1-GE3实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

SI1902CDL-T1-GE3

2个N沟道 耐压:20V 电流:1.1A

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描述
采用SC - 70封装的双通道LITTLE FOOT功率MOSFET
品牌名称
VISHAY(威世)
商品型号
SI1902CDL-T1-GE3
商品编号
C466988
商品封装
SC-70-6​
包装方式
编带
商品毛重
0.041克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量2个N沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)1.1A
导通电阻(RDS(on))235mΩ@4.5V,1A
耗散功率(Pd)420mW
阈值电压(Vgs(th))1.5V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)900pC@4.5V
输入电容(Ciss)62pF@10V
反向传输电容(Crss)7pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)20pF

商品概述

这些新器件适用于小信号应用,此类应用需要小型化封装,且需要直接或通过电平转换配置来切换低电流(约250 mA)。全新的6引脚SC-70封装可改善导通电阻值并增强热性能。

商品特性

  • TrenchFET功率MOSFET
  • 100%进行Rg测试

应用领域

  • 便携式设备的负载开关和DC/DC转换器
  • 高速开关

数据手册PDF