温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IRFBF30PBF
1个N沟道 耐压:900V 电流:2.3A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 第三代MOSFET为设计师提供了快速开关、坚固的器件设计、低导通电阻和高性价比的最佳组合。对于所有功率耗散水平约达50 W的商业-工业应用，TO-220AB封装普遍受到青睐。TO-220AB的低热阻和低封装成本使其在整个行业中得到广泛认可
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- IRFBF30PBF
- 商品编号
- C466978
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.678克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 900V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.7Ω@10V,2.2A | |
| 耗散功率(Pd) | 125W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 78nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 200pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 320pF |
优惠活动
购买数量
(50个/管，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个50个/管
总价金额：
￥ 0.00近期成交0单