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IRFI640GPBF
1个N沟道 耐压:200V 电流:9.8A
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- 描述
- 第三代功率MOSFET为设计人员提供了快速开关、耐用的器件设计、低导通电阻和高性价比的最佳组合。TO - 220 FULLPAK封装消除了商业 - 工业应用中对额外绝缘硬件的需求。所使用的模塑料在管壳和外部散热器之间提供了高隔离能力和低热阻
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- IRFI640GPBF
- 商品编号
- C466979
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.88克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 180mΩ@10V,5.9A | |
| 耗散功率(Pd) | 40W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 70nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 130pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
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