温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
FQP85N06
1个N沟道 耐压:60V 电流:85A 停产
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FQP85N06
- 商品编号
- C463743
- 商品封装
- TO-220-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.08克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 85A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 160W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 112nC@48V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.12nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 220pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
这款N沟道增强型功率MOSFET采用专有平面条形和DMOS技术制造。这种先进的MOSFET技术经过特别设计,可降低导通电阻,并提供出色的开关性能和高雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。
商品特性
- 85 A、60 V,RDS(on) = 10 mΩ(最大值)@ VGS = 10 V,ID = 42.5 A
- 低栅极电荷(典型值86 nC)
- 低Crss(典型值165 pF)
- 100%雪崩测试
- 最高结温额定值175°C
应用领域
- 开关模式电源
- 音频放大器
- 直流电机控制
- 可变开关电源应用