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DTC114TM3T5G
带单片偏置电阻网络的NPN晶体管
- 描述
- 该系列数字晶体管用于替代单个器件及其外部电阻偏置网络。偏置电阻晶体管（BRT）包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的晶体管，即一个串联基极电阻和一个基极-发射极电阻。BRT通过将这些单独的组件集成到一个器件中，消除了这些组件。使用BRT可以降低系统成本和电路板空间。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- DTC114TM3T5G
- 商品编号
- C463691
- 商品封装
- SOT-723
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.005克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 数字晶体管 | |
| 数量 | - | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V | |
| 集电极电流(Ic) | 100mA | |
| 耗散功率(Pd) | 260mW | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 直流电流增益(hFE) | 160@5mA,10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 射基极击穿电压(Vebo) | 6V | |
| 最小输入电压(VI(on)) | 1.7V | |
| 最大输入电压(VI(off)) | 500mV@100uA,5.0V | |
| 输出电压(VO(on)) | - | |
| 输入电阻 | 10kΩ | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 250mV@1mA,10mA |