- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 半桥 | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | 2A | |
| 拉电流(IOH) | 1.25A | |
| 工作电压 | 8V~14V | |
| 上升时间(tr) | 17ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 下降时间(tf) | 12ns | |
| 传播延迟 tpLH | - | |
| 传播延迟 tpHL | - | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 输入高电平(VIH) | - | |
| 输入低电平(VIL) | - | |
| 静态电流(Iq) | 320uA | |
| 功能特性 | 使能关断；内置自举二极管；交错导通保护；死区时间控制 |
商品概述
DGD0506是一款高频半桥栅极驱动器，能够以半桥配置驱动N沟道MOSFET。浮动高端驱动器的额定电压高达50V。 DGD0506逻辑输入与标准TTL和CMOS电平（低至3.3V）兼容，便于与MCU连接。高端和低端的欠压锁定（UVLO）功能可在电源丢失时保护MOSFET。为保护MOSFET，交叉导通防止逻辑可防止HO和LO输出同时导通。 快速且匹配良好的传播延迟允许实现更高的开关频率，从而能够使用更小的相关组件，实现更小巧紧凑的功率开关设计。DGD0506采用V-DFN3030-10封装，工作温度范围扩展至-40℃至+125℃。
商品特性
- 50V浮动高端驱动器，以半桥配置驱动两个N沟道MOSFET
- 1.25A源电流/2.0A灌电流输出能力
- 内置自举肖特基二极管
- 高端和低端驱动器具备欠压锁定功能
- 可编程死区时间，用于保护MOSFET
- 逻辑输入（IN和EN）支持3.3V
- 超低待机电流（<1µA）
- 扩展温度范围：-40℃至+125℃
- 完全无铅且完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑。“绿色”器件
应用领域
- DC-DC转换器
- 电机控制
- 电池供电的手动工具
- 电子烟设备D类功率放大器