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STP8N80K5
1个N沟道 耐压:800V 电流:6A
- 描述
- N沟道800 V、0.8 Ohm典型值、6 A MDmesh K5功率MOSFET，TO-220封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STP8N80K5
- 商品编号
- C457447
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.75克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)) | 950mΩ@10V,3A | |
| 耗散功率(Pd) | 110W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
商品概述
这些N沟道齐纳保护功率MOSFET采用意法半导体（ST）创新的耐雪崩超高压SuperMESH™ 5技术设计，基于一种创新的专有垂直结构。这使得导通电阻大幅降低，栅极电荷超低，适用于对功率密度和效率要求极高的应用。
商品特性
- 全球最佳品质因数（FOM）
- 超低栅极电荷
- 100%雪崩测试
- 齐纳保护
应用领域
- 开关应用