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STP20NK50Z
1个N沟道 耐压:500V 电流:17A
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- 描述
- 这些器件是采用 SuperMESH 技术开发的 N 沟道齐纳保护功率 MOSFET，通过优化成熟的基于条形的 PowerMESH 布局实现。除了显著降低导通电阻外，该器件还旨在确保在最严苛的应用中具备高水平的 dv/dt 能力。
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STP20NK50Z
- 商品编号
- C457449
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.82克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 17A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 270mΩ@10V,8.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 190W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 119nC@400V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.6nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 72pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这些器件是采用意法半导体（STMicroelectronics）的SuperMESHTM技术开发的N沟道齐纳保护功率MOSFET，该技术通过优化意法半导体成熟的基于条形的PowerMESHTM布局实现。除了显著降低导通电阻外，该器件还旨在为最苛刻的应用确保高水平的dv/dt能力。
商品特性
- 极高的dv/dt能力
- 100%雪崩测试
- 栅极电荷最小化
- 极低的本征电容
应用领域
- 开关应用