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STF6N65M2
1个N沟道 耐压:650V 电流:4A
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描述
N沟道650 V、1.2 Ohm典型值、4 A MDmesh M2功率MOSFET，TO-220FP封装
- 品牌名称ST(意法半导体)
商品型号
STF6N65M2商品编号
C457456商品封装
TO-220F-3包装方式
管装
商品毛重
2.44克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 1.2Ω@10V,2A | |
| 功率(Pd) | 20W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3V@250uA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 9.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 226pF@100V | |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | 0.65pF@100V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
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