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STF8N80K5
1个N沟道 耐压:800V 电流:6A
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- 描述
- N沟道800 V、0.8 Ohm典型值、6 A MDmesh K5功率MOSFET，TO-220FP封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STF8N80K5
- 商品编号
- C457458
- 商品封装
- TO-220F-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.45克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 950mΩ@10V,3A | |
| 耗散功率(Pd) | 25W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 16.5nC | |
| 输入电容(Ciss) | 450pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
4606采用先进的沟槽技术，可实现出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷。互补MOSFET可用于构成电平转换高端开关，还适用于许多其他应用。
商品特性
- N沟道
- 漏源电压（VDS） = 30V，漏极电流（ID） = 6.9A
- 栅源电压（VGS） = 10V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 21mΩ
- 栅源电压（VGS） = 4.5V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 32mΩ
- P沟道
- 漏源电压（VDS） = -30V，漏极电流（ID） = -6.0A
- 栅源电压（VGS） = -10V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 45mΩ
- 栅源电压（VGS） = -4.5V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 60mΩ
- 高功率和电流处理能力
- 产品无铅
- 表面贴装封装