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STF8NK100Z实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

STF8NK100Z

1个N沟道 耐压:1kV 电流:6.5A

商品型号
STF8NK100Z
商品编号
C457457
商品封装
TO-220F-3​
包装方式
管装
商品毛重
2.45克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)1kV
连续漏极电流(Id)6.5A
导通电阻(RDS(on))1.6Ω@10V,3.15A
耗散功率(Pd)40W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4.5V
栅极电荷量(Qg)73nC@800V
输入电容(Ciss)2.18nF@25V
反向传输电容(Crss)36pF@25V
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

SuperMESH系列是对意法半导体(ST)成熟的基于条形的PowerMESH布局进行极致优化的成果。除了显著降低导通电阻外,还特别注重确保其在最严苛的应用中具备出色的dv/dt能力。该系列完善了意法半导体的高压MOSFET全产品线,其中包括具有创新性的MDmesh产品。

商品特性

  • 极高的dv/dt能力
  • 100%雪崩额定
  • 增强的ESD能力
  • 极低的本征电容

应用领域

  • 大电流开关应用-非常适合离线式电源

数据手册PDF