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STGP19NC60SD
STGP19NC60SD
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- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STGP19NC60SD
- 商品编号
- C457455
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | - | |
| 耗散功率(Pd) | 130W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 600V | |
| 集电极电流(Ic) | 40A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 80A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.55V；1.35V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 54.5nC@15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 1.19nF | |
| 输出电容(Coes) | 135pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 28.5pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 17ns；17.5ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 245ns；175ns | |
| 导通损耗(Eon) | 200uJ；135uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 1.175mJ；815uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 31ns；48.5ns | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |