PHP33NQ20T,127
1个N沟道 耐压:200V 电流:32.7A
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- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PHP33NQ20T,127
- 商品编号
- C455079
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.83克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 32.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 65mΩ@10V,15A | |
| 耗散功率(Pd) | 230W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 32.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.87nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 70pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
商品概述
采用TrenchMOS技术、塑料封装的标准电平N沟道增强型场效应晶体管(FET)。本产品专为计算、通信、消费和工业应用而设计并通过相关认证。
商品特性
- 低热阻,工作功率更高
- 低导通电阻,传导损耗低
- 低栅极电荷,所需栅极驱动简单
- 快速开关特性,适用于高频应用
应用领域
- DC-DC转换器开关
