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BSS84AKV,115
2个P沟道 耐压:50V 电流:170mA
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- 描述
- 采用沟槽式MOSFET技术的双P沟道增强型场效应晶体管（FET），采用超小型扁平引脚SOT666表面贴装器件（SMD）塑料封装。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- BSS84AKV,115
- 商品编号
- C456110
- 商品封装
- SOT-666
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.011克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 50V | |
| 连续漏极电流(Id) | 170mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.5Ω@10V,100mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 500mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 350pC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 36pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
采用沟槽MOSFET技术的双P沟道增强型场效应晶体管（FET），封装于超小扁平引脚的SOT666表面贴装器件（SMD）塑料封装中。
商品特性
- 逻辑电平兼容
- 极快速开关
- 沟槽MOSFET技术
- 高达1 kV的静电放电（ESD）保护
应用领域
- 继电器驱动器-高速线路驱动器-高端负载开关-开关电路
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