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PMV130ENEAR
1个N沟道 耐压:40V 电流:2.1A
- 描述
- N- 通道增强型场效应晶体管 (FET)，采用Trench MOSFET技术，封装为小型SOT23 (TO- 236AB) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PMV130ENEAR
- 商品编号
- C458143
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.017克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 120mΩ | |
| 耗散功率(Pd) | 1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 3.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 170pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 14pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
这款N沟道增强型功率MOSFET采用仙童半导体公司专有的平面条状和DMOS技术制造。这种先进的MOSFET技术经过特别设计，可降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和高雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正（PFC）和电子灯镇流器。
商品特性
- 逻辑电平兼容
- 扩展温度范围 Tj = 175℃
- 沟槽MOSFET技术
- 静电放电(ESD)保护 > 1 kV HBM(H1C类)
- 通过AEC - Q101认证
应用领域
-继电器驱动器-高速线路驱动器-低端负载开关-开关电路