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PMXB360ENEAZ
1个N沟道 耐压:80V 电流:1.1A
- 描述
- N- 沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用 Trench MOSFET 技术，采用无铅超小 DFN1010D-3 (SOT1215) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PMXB360ENEAZ
- 商品编号
- C458205
- 商品封装
- DFN1010D-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.009克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 345mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 400mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 130pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 11pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
采用沟槽MOSFET技术的N沟道增强型场效应晶体管（FET），采用无引脚超小型DFN1010D - 3（SOT1215）表面贴装器件（SMD）塑料封装。
商品特性
- 逻辑电平兼容
- 无引脚超小型超薄SMD塑料封装:1.1 x 1.0 x 0.37 mm
- 镀锡100%可焊侧焊盘,便于光学焊锡检查
- 静电放电(ESD)保护 > 2 kV HBM
- 通过AEC - Q101认证
应用领域
- 继电器驱动器
- 汽车和工业应用中的电源管理
- LED驱动器
- DC - DC转换器
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