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PMXB360ENEAZ

1个N沟道 耐压:80V 电流:1.1A

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描述
N- 沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用 Trench MOSFET 技术，采用无铅超小 DFN1010D-3 (SOT1215) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。
品牌名称
Nexperia(安世)
商品型号
PMXB360ENEAZ
商品编号
C458205
商品封装
DFN1010D-3​
包装方式
编带
商品毛重
0.009克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)80V
连续漏极电流(Id)1.1A
导通电阻(RDS(on))345mΩ@10V,1.1A
耗散功率(Pd)400mW
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1.7V
栅极电荷量(Qg)4.5nC@10V
输入电容(Ciss)130pF@40V
反向传输电容(Crss)11pF@40V
工作温度-55℃~+150℃

数据手册PDF

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