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PSMN1R2-30YLC,115
1个N沟道 耐压:30V 电流:100A
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- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PSMN1R2-30YLC,115
- 商品编号
- C458223
- 商品封装
- SOT-669
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.126克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.25mΩ@10V,25A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 215W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.95V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 78nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.093nF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
商品概述
采用LFPAK封装的逻辑电平增强型N沟道MOSFET。本产品经设计和鉴定，适用于各种工业、通信和家用设备。
商品特性
- 高可靠性Power SO8封装，可在175°C环境下使用
- 采用NextPower超结技术，针对4.5V栅极驱动进行优化
- 超低的QG、QGD和QOSS，可在高低负载下实现高系统效率
- 超低的导通电阻和低寄生电感
应用领域
- 直流-直流转换器
- 锂离子电池保护
- 负载开关
- 电源“或”功能
- 服务器电源
- 同步整流器
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