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BUK7K6R8-40E,115实物图
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BUK7K6R8-40E,115

2个N沟道 耐压:40V 电流:40A

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描述
双标准电平 N 沟道 MOSFET，采用 TrenchMOS 技术，封装为 LFPAK56D（双电源-SO8）。该产品已按照 AEC Q101 标准进行设计和认证，适用于高性能汽车应用。
品牌名称
Nexperia(安世)
商品型号
BUK7K6R8-40E,115
商品编号
C458238
商品封装
LFPAK56D​
包装方式
编带
商品毛重
0.119克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量2个N沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)40A
导通电阻(RDS(on))6.8mΩ@10V,20A
耗散功率(Pd)64W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4V
栅极电荷量(Qg)9.1nC@20V
输入电容(Ciss)1.46nF
反向传输电容(Crss)197pF
类型N沟道
输出电容(Coss)324pF

数据手册PDF

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