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BUK9Y40-55B,115实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

BUK9Y40-55B,115

1个N沟道 耐压:55V 电流:26A

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描述
采用高性能汽车级(HPA)TrenchMOS技术、塑料封装的逻辑电平N沟道增强型场效应晶体管(FET)。本产品已根据相应的AEC标准进行设计和鉴定,适用于汽车关键应用。
品牌名称
Nexperia(安世)
商品型号
BUK9Y40-55B,115
商品编号
C461200
商品封装
LFPAK56(PowerSO-8)​
包装方式
编带
商品毛重
0.113克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)55V
连续漏极电流(Id)26A
导通电阻(RDS(on))36mΩ@10V,15A
属性参数值
耗散功率(Pd)59W
阈值电压(Vgs(th))2V
栅极电荷量(Qg)11nC@5V
输入电容(Ciss)1.02nF@25V
工作温度-55℃~+175℃@(Tj)

数据手册PDF