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PSMN4R8-100BSEJ
1个N沟道 耐压:100V 电流:120A
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- 描述
- 采用D2PAK封装的标准电平N沟道MOSFET，工作温度可达175°C。与最新的“热插拔”控制器配合使用，该控制器足够坚固，能够承受开启时的大量浪涌电流，同时具有低RDS(ON)特性，可在持续使用中降低温度并提高效率。非常适合基于48 V背板/电源轨的电信系统
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PSMN4R8-100BSEJ
- 商品编号
- C458260
- 商品封装
- D2PAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.686克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.8mΩ@10V,25A | |
| 耗散功率(Pd) | 405W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 278nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 14.4nF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 643pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
优惠活动
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