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BUK7J1R4-40HX
1个N沟道 耐压:40V 电流:190A
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- 描述
- 采用最新Trench 9低欧姆超结技术的汽车级N沟道MOSFET，采用增强型LFPAK56E封装。该产品经过全面设计并通过认证，符合AEC - Q101要求，具备高性能和耐用性。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- BUK7J1R4-40HX
- 商品编号
- C458262
- 商品封装
- LFPAK56E-4
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.134克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 190A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.4mΩ@10V,25A | |
| 耗散功率(Pd) | 395W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 103nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.61nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 524pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
采用最新Trench 9低欧姆超结技术的汽车级N沟道MOSFET，采用增强型LFPAK56E封装。该产品经过全面设计和认证，符合AEC-Q101要求，具备高性能和耐用性。
商品特性
- 完全符合AEC-Q101汽车级标准
- 额定温度达175 °C，适用于对散热要求高的环境
- Trench 9超结技术：
- 减小的单元间距可在相同封装尺寸下实现更高的功率密度和效率，同时降低导通电阻RDSon
- 与标准TrenchMOS相比，改善了安全工作区（SOA）和雪崩能力
- 紧密的VGS(th)限值使MOSFET易于并联
- LFPAK鸥翼引脚：
- 具有高电路板级可靠性，在热循环过程中能吸收机械应力，这与传统QFN封装不同
- 可进行目视（自动光学检测，AOI）焊接检查，无需昂贵的X射线设备
- 易于焊料浸润，形成良好的机械焊点
- LFPAK铜夹技术：
- 提高可靠性，降低热阻Rth和导通电阻RDSon
- 增加最大电流能力，改善电流分布
应用领域
- 12 V汽车系统
- 电机、灯具和电磁阀控制
- 启停微混合动力应用
- 变速器控制
- 超高性能功率开关