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PMG85XP,115
1个P沟道 耐压:20V 电流:2A
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- 描述
- P- 沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用沟槽 MOSFET 技术，封装在非常小的 SOT363 (SC- 88) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装中。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PMG85XP,115
- 商品编号
- C461190
- 商品封装
- TSSOP-6-1.3mm
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.013克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 115mΩ@4.5V,2A | |
| 耗散功率(Pd) | 375mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.15V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 560pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 55pF | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 80pF |
优惠活动
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