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PMV450ENEAR
1个N沟道 耐压:60V 电流:0.8A
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- 描述
- N沟道增强型场效应晶体管(FET)，采用沟槽MOSFET技术，封装在小型SOT23（TO-236AB）表面贴装塑料封装中。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PMV450ENEAR
- 商品编号
- C461198
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.015克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 800mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 380mΩ@10V,0.9A | |
| 耗散功率(Pd) | 466mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 3.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 101pF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 7pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
N沟道增强型场效应晶体管(FET)，采用沟槽MOSFET技术，封装在小型SOT23（TO-236AB）表面贴装塑料封装中。
商品特性
- 逻辑电平兼容
- 极快的开关速度
- 沟槽MOSFET技术
- 静电放电 (ESD) 保护 > 2 kV HBM
- AEC-Q101 认证
应用领域
- 继电器驱动
- 高速线路驱动
- 低端负载开关
- 开关电路
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个3000个/圆盘
总价金额：
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