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BUK9Y4R8-60E,115
1个N沟道 耐压:60V 电流:100A
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- 描述
- 逻辑电平N沟道MOSFET采用TrenchMOS技术，封装为LFPAK56（Power SO8）。该产品已按照AEC G101标准进行设计和认证，适用于高性能汽车应用。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- BUK9Y4R8-60E,115
- 商品编号
- C458246
- 商品封装
- LFPAK56(PowerSO-8)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.355克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 238W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 54.8nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.89nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 276pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 506pF |
商品概述
采用TrenchMOS技术、LFPAK56(Power SO8)封装的逻辑电平N沟道MOSFET。本产品已按照AEC Q101标准进行设计和认证,适用于高性能汽车应用。
商品特性
- 符合Q101标准
- 具备重复雪崩额定值
- 额定温度达175°C,适用于对散热要求较高的环境
- 真正的逻辑电平栅极,在175°C时VGS(th)额定值大于0.5 V
应用领域
- 12 V汽车系统
- 电机、灯具和螺线管控制
- 变速器控制
- 超高性能电源开关
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