温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
BUK9Y4R8-60E,115
1个N沟道 耐压:60V 电流:100A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 逻辑电平N沟道MOSFET采用TrenchMOS技术，封装为LFPAK56（Power SO8）。该产品已按照AEC G101标准进行设计和认证，适用于高性能汽车应用。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- BUK9Y4R8-60E,115
- 商品编号
- C458246
- 商品封装
- LFPAK56(PowerSO-8)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.355克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 238W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 54.8nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.89nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 276pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 506pF |
优惠活动
购买数量
(1500个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个1500个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交1单
相似推荐
其他推荐