温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
PSMN0R9-25YLDX
1个N沟道 耐压:25V 电流:300A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 逻辑电平栅极驱动 N 沟道增强型 MOSFET，采用 LFPAK56 封装。NextPowerS3 系列采用独特的 “SchottkyPlus” 技术，可实现高效率、低尖峰性能，通常与集成肖特基或类肖特基二极管的 MOSFET 相关，但没有高漏电流问题。NextPowerS3 特别适用于高开关频率的高效应用。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PSMN0R9-25YLDX
- 商品编号
- C458254
- 商品封装
- LFPAK56(PowerSO-8)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.125克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 300A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.85mΩ@10V,25A | |
| 耗散功率(Pd) | 238W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.73V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 89.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.721nF@12V | |
| 反向传输电容(Crss) | 418pF@12V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
采用LFPAK56封装的逻辑电平栅极驱动N沟道增强型MOSFET。采用独特的“肖特基增强”（SchottkyPlus）技术，可实现高效、低尖峰性能，通常与集成肖特基或类肖特基二极管的MOSFET相关，但不会出现有问题的高漏电流。特别适用于高开关频率的高效应用。
商品特性
- 在I(AS) = 190 A时进行100%雪崩测试
- 超低的QG、QGD和QOSS，以实现高系统效率，特别是在较高开关频率下
- 具有软恢复功能的超快速开关
- 低尖峰和振铃，适用于低EMI设计
- 独特的“肖特基增强”（SchottkyPlus）技术；在25°C时漏电流小于1 μA，具有类肖特基性能
- 针对4.5 V栅极驱动进行优化
- 低寄生电感和电阻
- 高可靠性夹片键合和焊料芯片连接的Power SO8封装；无胶水、无引线键合，可在175°C下工作
- 可波峰焊接；外露引脚便于进行最佳目视焊接检查
应用领域
- 服务器和电信的板载DC:DC解决方案
- 电信应用中的次级侧同步整流
- 电压调节模块（VRM）
- 负载点（POL）模块
- V-core、ASIC、DDR、GPU、VGA和系统组件的电源供应
- 有刷和无刷电机控制
- 电源或门（Power OR-ing）