温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
BUK7K6R2-40EX
2个N沟道 耐压:40V 电流:40A
- 描述
- 双标准电平 N 沟道 MOSFET，采用 TrenchMOS 技术，采用 LFPAK56D（双功率 SO8）封装。该产品已按照 AEC Q101 标准进行设计和鉴定，适用于高性能汽车应用。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- BUK7K6R2-40EX
- 商品编号
- C458245
- 商品封装
- LFPAK56D
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.12克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.8mΩ@10V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 68W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 32.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.657nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 208pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 354pF |
商品概述
采用TrenchMOS技术、LFPAK56D（双Power-SO8）封装的双路标准电平N沟道MOSFET。该产品已按照AEC Q101标准进行设计和认证，适用于高性能汽车应用。
商品特性
- 双路MOSFET
- 符合Q101标准
- 具备重复雪崩额定值
- 额定温度达175°C，适用于对散热要求高的环境
- 真正的标准电平栅极，在175°C时VGS(th)大于1 V
应用领域
- 12 V汽车系统
- 电机、灯具和电磁阀控制
- 变速箱控制
- 超高性能功率开关
相似推荐
其他推荐
- BUK9Y4R8-60E,115
- BUK765R0-100E,118
- BUK763R8-80E,118
- PSMN1R4-40YLDX
- PSMN0R9-25YLDX
- PSMN3R5-80PS,127
- PSMN4R8-100BSEJ
- BUK7J1R4-40HX
- PMV75UP,215
- PMV100ENEAR
- BUK9Y41-80E,115
- BUK9880-55A/CUX
- BUK7212-55B,118
- PMG85XP,115
- BUK9Y59-60E,115
- PMV450ENEAR
- BUK9Y40-55B,115
- BUK78150-55A/CUX
- BUK9Y7R6-40E,115
- BUK9Y30-75B,115
- BUK7880-55A/CUX