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PSMN1R4-30YLDX

1个N沟道耐压:30V 电流:100A

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描述: 逻辑电平栅极驱动 N 沟道增强模式 MOSFET，采用 LFPAK56 封装。NextPowerS3 系列采用独特的 “SchottkyPlus” 技术，可实现高效率、低尖峰性能，通常与集成肖特基或类肖特基二极管的 MOSFET 相关，但没有高泄漏电流问题。NextPowerS3 特别适用于高开关频率的高效率应用。
品牌名称: Nexperia(安世)
商品型号: PSMN1R4-30YLDX
商品编号: C458233
商品封装: LFPAK56(PowerSO-8)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.125克(g)

商品参数

商品概述

采用LFPAK56封装的逻辑电平栅极驱动N沟道增强型MOSFET。安世半导体（Nexperia）采用独特的“肖特基增强（SchottkyPlus）”技术的NextPowerS3产品组合，可实现高效率、低尖峰性能，通常与集成肖特基二极管或类似肖特基二极管的MOSFET相关，但不会出现有问题的高漏电流。NextPowerS3特别适用于高开关频率的高效应用。

商品特性

超低的QG、QGD和QOSS，实现高系统效率，特别是在较高开关频率下
具有软恢复功能的超快开关；s因子 > 1
低尖峰和振铃，适用于低EMI设计
独特的“肖特基增强（SchottkyPlus）”技术；在25°C时漏电流 < 1 μA，具有类似肖特基的性能
针对4.5 V栅极驱动进行优化
低寄生电感和电阻
高可靠性夹片键合和焊料芯片贴装的Power SO8封装；无胶水、无引线键合，可在175°C下工作
可波峰焊接；外露引脚便于进行最佳的目视焊接检查

应用领域

服务器和电信的板载DC-DC解决方案
电信应用中的次级侧同步整流
电压调节模块（VRM）
负载点（POL）模块
V-core、ASIC、DDR、GPU、VGA和系统组件的电源供应
有刷和无刷电机控制
电源“或”功能

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	30V
	连续漏极电流(Id)	100A
	导通电阻(RDS(on))	1.44mΩ@4.5V,25A
	耗散功率(Pd)	166W

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	1.2V
	栅极电荷量(Qg)	27.6nC@4.5V
	输入电容(Ciss)	3.84nF@15V
	反向传输电容(Crss)	251pF@15V
	工作温度	-55℃~+175℃