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BUK7Y12-55B,115
1个N沟道 耐压:55V 电流:61.8A
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- BUK7Y12-55B,115
- 商品编号
- C458208
- 商品封装
- SOT-669
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.12克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 55V | |
| 连续漏极电流(Id) | 61.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@10V,20A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 105W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 35.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.067nF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
商品概述
采用安世高性能汽车 (HPA) TrenchMOS 技术、塑料封装的标准电平 N 沟道增强型场效应晶体管 (FET)。本产品已根据相应的 AEC 标准进行设计和认证，适用于汽车关键应用。
商品特性
- 符合 Q101 标准
- 额定温度达 175°C，适用于对散热要求较高的环境
- 适用于标准电平栅极驱动源
应用领域
- 12 V 和 24 V 负载
- 通用功率开关
- 先进制动系统 (ABS)
- 电机、灯具和螺线管
- 汽车系统
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