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PMPB55ENEAX

1个N沟道 耐压:60V 电流:4A

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描述
N沟道增强型场效应晶体管(FET)，采用沟槽MOSFET技术，封装于无引脚中功率DFN2020MD-6 (SOT1220)表面贴装塑料封装。
品牌名称
Nexperia(安世)
商品型号
PMPB55ENEAX
商品编号
C458215
商品封装
DFN-6(2x2)​
包装方式
编带
商品毛重
0.017克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)4A
导通电阻(RDS(on))56mΩ@10V,4A
耗散功率(Pd)1.65W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2.7V
栅极电荷量(Qg)12nC@10V
输入电容(Ciss)435pF@30V
反向传输电容(Crss)26pF@30V
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

N沟道增强型场效应晶体管(FET)，采用沟槽MOSFET技术，封装于无引脚中功率DFN2020MD-6 (SOT1220)表面贴装塑料封装。

商品特性

  • 沟槽MOSFET技术
  • 小型无引脚超薄SMD塑料封装：2x2x0.65 mm
  • 锡镀100%可焊接侧焊盘，适用于光学焊接检查
  • 静电放电（ESD）保护 >2 kV
  • AEC-Q101认证

应用领域

  • 继电器驱动
  • 高速线路驱动
  • 低侧负载开关
  • 开关电路

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