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BUK98150-55A/CUF
1个N沟道 耐压:55V 电流:5.5A
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- 描述
- 逻辑电平 N 沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用塑料封装和 TrenchMOS 技术。该产品已通过相关 AEC 标准认证，适用于汽车关键应用。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- BUK98150-55A/CUF
- 商品编号
- C458219
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.138克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 55V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 137mΩ@10V,5A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5.3nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 320pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
采用TrenchMOS技术、塑料封装的逻辑电平N沟道增强型场效应晶体管（FET）。本产品已根据相应的AEC标准进行设计和鉴定，适用于汽车关键应用。
商品特性
- 低导通电阻，传导损耗低
- 符合Q101标准
- 适用于逻辑电平栅极驱动源
应用领域
- 12 V和24 V负载
- 汽车及通用电源开关
- 电机、灯具和螺线管
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