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PMGD290XN,115
2个N沟道 耐压:20V 电流:860mA
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- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PMGD290XN,115
- 商品编号
- C456111
- 商品封装
- SOT-363
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.038克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 860mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 350mΩ@4.5V,200mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 410mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 720pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 34pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
采用TrenchMOS技术、塑料封装的双N沟道增强型场效应晶体管。
商品特性
- 表面贴装封装
- 封装尺寸比SOT23小40%
- 双器件
- 快速开关
- 低导通电阻
- 低阈值电压
应用领域
- 驱动电路
- 便携式设备中的开关
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