温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
BSP250,115
1个P沟道 耐压:30V 电流:3A
- 描述
- P- 通道增强模式垂直 D- MOS 晶体管，采用 SOT223 塑料 SMD 封装。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- BSP250,115
- 商品编号
- C456114
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.137克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 250mΩ@10V,1A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.65W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 250pF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 140pF |
商品概述
采用SOT223塑料贴片封装的P沟道增强型垂直D-MOS晶体管。
商品特性
- 高速开关
- 无二次击穿
- 极低导通电阻
应用领域
- 低损耗电机和执行器驱动器
- 电源开关