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PHD71NQ03LT,118
1个N沟道 耐压:30V 电流:75A
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- 描述
- MOSFET N-CH 30V
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PHD71NQ03LT,118
- 商品编号
- C456154
- 商品封装
- DPAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.369克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 75A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 120W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
商品概述
采用TrenchMOS技术、塑料封装的逻辑电平N沟道增强型场效应晶体管（FET）。本产品专为计算机、通信、消费和工业应用设计并通过相关认证。
商品特性
- 栅极电荷低,所需栅极驱动简单
- 适用于逻辑电平栅极驱动源
应用领域
-直流-直流转换器-开关模式电源